[发明专利]集成电路元件与双极结晶体管有效
| 申请号： | 201110049415.4 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102386229A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 陈家忠;周淳朴;袁锋;刘莎莉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/73;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一实施例提供一种集成电路元件与双极结晶体管。集成电路元件包括：一半导体基板；一鳍状结构，配置于半导体基板上，鳍状结构具有一集极部、一射极部与一基极部，基极部位于集极部与射极部之间，其中：集极部为一第一掺杂区，第一掺杂区包括一第一型掺杂物；射极部为一第二掺杂区，第二掺杂区包括第一型掺杂物；以及基极部为一第三掺杂区，第三掺杂区包括一与第一型掺杂物相反的第二型掺杂物；以及一栅极结构，配置于鳍状结构的基极部上。本发明实施例能够提高集成电路元件的电流增益，并且特别适合用于系统整合芯片技术。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 元件 结晶体 | ||
【主权项】：
一种集成电路元件，包括：一半导体基板；一鳍状结构，配置于该半导体基板上，该鳍状结构具有一集极部、一射极部与一基极部，该基极部位于该集极部与该射极部之间，其中：该集极部为一第一掺杂区，该第一掺杂区包括一第一型掺杂物，该集极部耦接一第一端子，以对该集极部施加电偏压；该射极部为一第二掺杂区，该第二掺杂区包括该第一型掺杂物，该射极部耦接一第二端子，以对该射极部施加电偏压；以及该基极部为一第三掺杂区，该第三掺杂区包括一与该第一型掺杂物相反的第二型掺杂物，该基极部耦接一第三端子，以对该基极部施加电偏压；以及一栅极结构，配置于该鳍状结构的该基极部上，该栅极结构耦接一第四端子，以对该栅极结构施加电偏压，以使该栅极结构控制一通过该基极部的电流路径。
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