[发明专利]三氯硅烷制造装置及制造方法有效
| 申请号： | 201110049613.0 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102190303A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 三宅政美;斎木涉 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛利群;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及三氯硅烷制造装置及制造方法，提供能抑制反应室内的加热器表面的最高温度，并且还以高的热效率加热供给气体的三氯硅烷制造装置。其具备：反应室(101)，被供给原料气体并生成包含三氯硅烷和氯化氢等的反应气体；多个加热器(20)，在反应室(101)内沿上下方向设置并加热原料气体；以及多个电极(23)，与加热器(20)的基端部连接，加热器(20)具备：第一加热器(20a)，由发热部(21a)构成；和第二加热器(20b)，在比第一加热器(20a)的发热部(21a)短的发热部(21b)的上端连接有由非发热部构成的辐射板(24b)，第一加热器(20a)的发热部(21a)的一部分与第二加热器(20b)的辐射板(24b)相向配置，在反应室(101)中，在第二加热器(20b)的发热部(21b)和辐射板(24b)中的第二加热器(20b)的发热部(21b)侧具备原料气体的导入口(11b)，在第二加热器(20b)的辐射板(24b)侧具备反应气体的导出口(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种三氯硅烷制造装置，从包含四氯化硅和氢的原料气体制造三氯硅烷，其特征在于，具备：反应室，被供给所述原料气体并生成包含三氯硅烷和氯化氢等的反应气体；多个加热器，在所述反应室内沿上下方向设置，对所述原料气体进行加热；以及多个电极，与这些加热器的基端部连接，各所述加热器具备：第一加热器，以通过来自所述电极的通电而进行发热的发热部构成；以及第二加热器，在比第一加热器的发热部短的发热部的上端或者下端连接有由非发热部构成的辐射板，所述第一加热器的发热部的一部分和所述第二加热器的辐射板被相向配置，在所述反应室中，在所述第二加热器的发热部和辐射板中的所述第二加热器的发热部被配置的一侧具备所述原料气体的导入口，在所述第二加热器的辐射板被配置的一侧具备所述反应气体的导出口。
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