[发明专利]铬二铝碳陶瓷靶材及其真空热压制备方法有效
| 申请号： | 201110049635.7 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102653470A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 储茂友;王星明;陈洋;邓士斌;韩沧;张碧田;段华英;潘德明 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C04B35/515 | 分类号： | C04B35/515;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 耿小强 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种铬二铝碳陶瓷靶材及其真空热压制备方法，包括将铬粉、铝粉和碳粉按照摩尔比2:(1~1.5):1配料，预压制坯；热压炉抽真空至10-1Pa，然后以5~10℃/min的速度升温到600~650℃，保温1~2小时；随后以10~20℃/min的速度升温至1300~1500℃，加压到10～30MPa时，保温保压2~4小时后，降温，降到900-1100℃，泄压至常压；冷却至室温，得到坯料；进行机械加工和电加工，然后清洗、烘干，得到高纯高单相含量铬二铝碳陶瓷靶材。本发明制备的铬二铝碳陶瓷靶材致密度达到97%以上，铬二铝碳化合物相含量达到98~99%，靶材的氧含量低，靶材质量满足涂层制备要求，成本低，适合大尺寸铬二铝碳陶瓷靶材工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 铬二铝碳 陶瓷 及其 真空 热压 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铬二铝碳陶瓷靶材，其特征在于：所述的陶瓷靶材中铬二铝碳单相含量达到98%～99%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院，未经北京有色金属研究总院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110049635.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：卧式车床加工轴承前盖所用的气动卡具
- 下一篇：一种用于车削气缸盖阀孔的夹具
