[发明专利]一种LED芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201110049639.5 | 申请日： | 2011-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102157639A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 黄宁湘;许亚兵;罗正加 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，根据本发明的LED芯片，包括：衬底(1)；N型氮化镓层(2)，形成在衬底(1)的上方；有源层(3)，形成在N型氮化镓层(2)的上方；P型氮化镓层(4)，形成在有源层(3)的上方；以及透明电极(5)，形成在P型氮化镓层(4)的上方，其中，衬底(1)的下表面镀有反射层(8)。根据本发明的LED芯片，其背面光的反射率高，且其出光效率也得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括：衬底(1)；N型氮化镓层(2)，形成在所述衬底(1)的上方；有源层(3)，形成在所述N型氮化镓层(2)的上方；P型氮化镓层(4)，形成在所述有源层(3)的上方；以及透明电极(5)，形成在所述P型氮化镓层(4)的上方，其特征在于，所述衬底(1)的下表面镀有反射层(8)。
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