[发明专利]低速电子射线用荧光体及荧光显示装置有效
| 申请号： | 201110050009.X | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102191047A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 加藤浩司 | 申请（专利权）人： | 则武伊势电子株式会社;株式会社则武 |
| 主分类号： | C09K11/67 | 分类号： | C09K11/67;B32B9/00;H01J17/49;H01J31/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种兼得不含镉的荧光体的高亮度化及长寿命化且具有优良的高温放置特性的低速电子射线用荧光体及使用该荧光体的荧光显示装置，为此，将荧光体设为，在以下述化学式(1)表示的荧光体主体表面形成有附着层，该附着层为依次层叠于荧光体主体表面的多个氧化物层。Ca1-xSrxTiO3:Pr，M(1)。在此，M为选自Al、Ga、In、Mg、Zn、Li、Na、K、Gd、Y、La、Cs及Rb的至少一种元素，0≤x≤1。 | ||
| 搜索关键词： | 低速 电子 射线 荧光 显示装置 | ||
【主权项】：
低速电子射线用荧光体，其在以下述化学式(1)表示的荧光体主体上形成有附着层，其特征在于，所述附着层为层叠于所述荧光体主体表面的多个氧化物层，Ca1‑xSrxTiO3:Pr，M (1)(在此，M为选自Al、Ga、In、Mg、Zn、Li、Na、K、Gd、Y、La、Cs及Rb的至少一种元素，0≤x≤1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于则武伊势电子株式会社;株式会社则武，未经则武伊势电子株式会社;株式会社则武许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110050009.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：组合式教学用具
- 下一篇：MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管
