[发明专利]一种制备黑硅方法无效
| 申请号： | 201110050887.1 | 申请日： | 2011-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102655179A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 苏晓东;辛煜;邹帅;陈军 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制备黑硅方法，包括以下步骤：对硅片表面进行清洁处理；在硅片表面沉积纳米银颗粒，形成纳米银颗粒掩膜；将具有纳米银颗粒掩膜的硅片进行等离子刻蚀，从而在硅片表面形成纳米陷光结构。由于纳米级银颗粒可减少等离子体刻蚀过程中离子轰击对硅片造成的损伤，并可制得均匀分布的绒面结构层，其具有较低的表面反射率和较高的载流子寿命，因此应用该方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性、对光极其敏感的黑硅，同时该方法成本较低，工艺流程简单，且可以直接制备大面积的黑硅，具有较高的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备黑硅方法，其特征在于，包括：对硅片表面进行清洁处理；在硅片表面沉积纳米银颗粒，形成纳米银颗粒掩膜；将具有纳米银颗粒掩膜的硅片进行等离子刻蚀，从而在硅片表面形成纳米陷光结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
