[发明专利]芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置有效
| 申请号： | 201110051582.2 | 申请日： | 2011-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102190975A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 大西谦司;林美希;井上刚一;宍户雄一郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L21/68;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供用于在通过焊线与被粘物电连接的半导体元件上胶粘另一个半导体元件的芯片接合薄膜，其可以防止所述焊线的变形或断裂，可以搭载另一个半导体元件，由此可以提高半导体装置的制造成品率，本发明还提供切割/芯片接合薄膜。本发明芯片接合薄膜，用于在通过焊线与被粘物电连接的半导体元件上胶粘另一个半导体元件，其中，至少由第一胶粘剂层和第二胶粘剂层层叠而形成，所述第一胶粘剂层在压接时可以将所述焊线的一部分埋没而使其通过所述第一胶粘剂层的内部，所述第二胶粘剂层用于防止所述另一个半导体元件与焊线接触。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 接合 薄膜 切割 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种芯片接合薄膜，用于在通过焊线与被粘物电连接的半导体元件上胶粘另一个半导体元件，其中，至少由第一胶粘剂层和第二胶粘剂层层叠而形成，所述第一胶粘剂层在压接时可以将所述焊线的一部分埋没而使其通过所述第一胶粘剂层的内部，所述第二胶粘剂层用于防止所述另一个半导体元件与焊线接触。
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