[发明专利]一种二硅化钼基电热元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110051906.2 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102173814A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 郜剑英;郑国军 | 申请（专利权）人： | 郑州嵩山电热元件有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/63 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 王聚才 |
| 地址： | 452483 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于高温材料领域，特别涉及了一种二硅化钼基电热元件及其制备方法。所述电热元件由下述质量百分含量的各原料制成：成型结合剂3~6%、改性添加剂1~3%，余量为基体材料；所述基体材料为钼硅质量比为61：39的自蔓延燃烧合成的二硅化钼粉体，成型结合剂为钠基膨润土或钙基膨润土，改性添加剂为氧化铝、氧化镁、氧化铅、氧化钡、三氧化二硼、氟化钙之中的一种或两种以上的组合。本发明电热元件表面膜厚度为15~20μm，密度≥5.6g/cm3，热端的平均强度不低于300MPa，冷热端焊口部位平均强度不低于250MPa，循环使用寿命可达50,000次循环以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硅化钼基 电热 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二硅化钼基电热元件，其特征在于所述电热元件由下述质量百分含量的各原料制成：成型结合剂 3~6%、改性添加剂 1~3%，余量为基体材料；所述基体材料为钼硅质量比为61：39的自蔓延燃烧合成的二硅化钼粉体，成型结合剂为钠基膨润土或钙基膨润土，改性添加剂为氧化铝、氧化镁、氧化铅、氧化钡、三氧化二硼、氟化钙之中的一种或两种以上的组合。
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