[发明专利]Bipolar电路的一种引线孔结构及制造方法

摘要

Bipolar电路的引线孔结构制造方法为：(1)在设有极区的硅基底上形成底层氧化硅薄膜层；(2)在底层氧化硅薄膜层上淀积形成顶层氧化硅薄膜层；(3)在顶层氧化硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层；(4)对氮化硅薄膜的预刻蚀区域进行光刻、刻蚀；(5)所述预刻蚀区域进行光刻、刻蚀，形成引线孔。本发明在1.5um工艺平台设备组基础上，制造出满足1.0～1.2um工艺平台的Bipolar电路的引线孔结构，且有效解决临近亚微米级工艺平台引线孔台阶金属覆盖问题。

主权项

Bipolar电路的引线孔结构，其特征在于，依次包括：设有极区的硅基底、在所述硅基底上的底层氧化硅薄膜层、在所述底层氧化硅薄膜层上的顶层氧化硅薄膜层、所述顶层氧化硅薄膜层上的氮化硅层及引线孔，所述引线孔贯穿底层氧化硅薄膜层、顶层氧化硅薄膜层，引线孔顶部周围为氮化硅层保护环。