[发明专利]存储装置、其制造方法与操作方法有效
| 申请号： | 201110053420.2 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102655152A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭;陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/28;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储装置、其制造方法与操作方法。存储装置包括基底、堆叠结构、沟道元件、介电元件、源极元件与位线。堆叠结构配置于基底上。堆叠结构各包括串列选择线、字线、接地选择线与绝缘线。串列选择线、字线与接地选择线通过绝缘线互相分开。沟道元件配置于堆叠结构之间。介电元件配置于沟道元件与堆叠结构之间。源极元件配置于基底的上表面与沟道元件的下表面之间。位线配置于沟道元件的上表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储装置，包括：基底；多个堆叠结构，配置于该基底上，其中该多个堆叠结构各包括串列选择线、字线、接地选择线与绝缘线，该串列选择线、该字线与该接地选择线通过该绝缘线互相分开；沟道元件，配置于该多个堆叠结构之间；介电元件，配置于该沟道元件与该堆叠结构之间；源极元件，配置于该基底的上表面与该沟道元件的下表面之间；以及位线，配置于该沟道元件的上表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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