[发明专利]集成电路元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201110054082.4 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102446954A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 叶秉君;叶德强;赵治平 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/22;H01L21/329 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路元件及其制作方法，其中集成电路元件包括：半导体基板，具有顶面与底面，半导体基板为第一导电类型；轻度掺杂扩散区，配置于半导体基板中，轻度掺杂扩散区被掺杂成第二导电类型；具有第一导电类型的第一阱，自顶面延伸入半导体基板，第一阱围绕轻度掺杂扩散区；具有第二导电类型的第二阱，配置于半导体基板中，第二阱配置于轻度掺杂扩散区下方并部分邻接第一阱的底部；以及导电层，邻近轻度掺杂扩散区，其中导电层与轻度掺杂扩散区的结上形成有肖特基区域。本发明的元件具有较佳的性能，无需使用额外的工艺和/或制作成本，可轻易地将具有不同击穿电压与开启电压的肖特基元件制作于单一集成电路元件上。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路元件，包括：一半导体基板，具有一顶面与一底面，该半导体基板为一第一导电类型；一轻度掺杂扩散区，配置于该半导体基板中，该轻度掺杂扩散区被掺杂成一第二导电类型；一具有该第一导电类型的第一阱，自该顶面延伸入该半导体基板，该第一阱围绕该轻度掺杂扩散区；一具有该第二导电类型的第二阱，配置于该半导体基板中，该第二阱配置于该轻度掺杂扩散区下方并部分邻接该第一阱的一底部；以及一导电层，邻近该轻度掺杂扩散区，其中该导电层与该轻度掺杂扩散区的一结上形成有一肖特基区域。
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