[发明专利]一种MOS管的制作方法及MOS管器件无效
| 申请号： | 201110054503.3 | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102683207A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 叶文正;王华 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种MOS管的制作方法及MOS管器件，涉及半导体技术领域，为有效减小MOS管在关断状态下的漏电流而发明。所述MOS管的制作方法，包括：形成栅极氧化层，所述栅极氧化层的厚度为85至105埃；通过离子注入形成轻掺杂漏极注LDD区，所述离子注入的方向向下与竖直方向的角度为0至10度，所述离子注入的能量为28至32千电子伏特。本发明可用于半导体器件以及集成电路的制作中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 制作方法 器件 | ||
【主权项】：
一种MOS管的制作方法，其特征在于，包括：形成所述MOS管的栅极氧化层，所述栅极氧化层的厚度为85至105埃；形成所述MOS管的栅极；通过离子注入形成所述MOS管的轻掺杂漏极注入LDD区，所述离子注入的方向向下与竖直方向的角度为0至10度，所述离子注入的能量为28至32千电子伏特；形成所述MOS管的源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
