[发明专利]一种设有PIP电容的混合模式MOS管器件的制作方法无效
| 申请号： | 201110054536.8 | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102683194A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;赵文魁;谭志辉 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种设有PIP电容的混合模式MOS管器件的制作方法，涉及半导体器件制作技术领域，为有效避免器件制作过程形成PIP电容时的多晶硅残留而发明。所述MOS管器件的制作方法，包括：在形成所述MOS管的栅极氧化层之后，沉积第一多晶硅薄膜；在所述第一多晶硅薄膜上，生长介电层薄膜；在所述介电层薄膜上，沉积第二多晶硅薄膜；对所述第二多晶硅薄膜和所述介电层薄膜进行构图工艺，通过所述构图工艺，形成所述多晶硅-介电层-多晶硅PIP电容的多晶硅上极板和介电层；对所述第一多晶硅薄膜进行构图工艺，通过所述构图工艺，形成所述PIP电容的多晶硅下极板和所述MOS管的多晶硅栅极。本发明可用于设有PIP电容的混合模式MOS管器件的制作中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设有 pip 电容 混合 模式 mos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种设有PIP电容的混合模式MOS管器件的制作方法，其特征在于，包括：在形成所述MOS管的栅极氧化层之后，沉积第一多晶硅薄膜；在所述第一多晶硅薄膜上，生长介电层薄膜；在所述介电层薄膜上，沉积第二多晶硅薄膜；对所述第二多晶硅薄膜和所述介电层薄膜进行构图工艺，通过所述构图工艺，形成所述多晶硅‑介电层‑多晶硅PIP电容的多晶硅上极板和介电层；对所述第一多晶硅薄膜进行构图工艺，通过所述构图工艺，形成所述PIP电容的多晶硅下极板和所述MOS管的多晶硅栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
