[发明专利]一种AlN/ZrN纳米多层膜制备工艺有效
| 申请号： | 201110054870.3 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102140620A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 宋忠孝;徐可为;田增瑞 | 申请（专利权）人： | 西安宇杰表面工程有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlN/ZrN纳米多层膜制备工艺，采用脉冲电源溅射Zr靶与Al靶，在N2/Ar混合气体中反应溅射获得AlN层与ZrN层，通过改变各靶溅射功率和基体在靶前停留时间获得AlN/ZrN纳米多层膜。本发明采用脉冲发应磁控溅射，通过调整AlN层与ZrN层单层厚度改变薄膜硬度与抗氧化性，本发明所沉积的AlN/ZrN纳米多层膜具有高的硬度和抗氧化温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aln zrn 纳米 多层 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种AlN/ZrN纳米多层膜制备工艺，其特征在于：采用脉冲电源溅射Zr靶与Al靶，在N2/Ar混合气体中反应溅射获得AlN层与ZrN层，通过改变各靶溅射功率调整和基体在靶前停留时间获得AlN/ZrN纳米多层膜。
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