[发明专利]超级结半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种超级结半导体器件的制造方法。其是能够防止周缘耐压构造部中的低浓度第一导电型外延层的形成时的杂质浓度变动或者由自掺杂引起的杂质浓度不均匀、能够防止耐压降低的超级结半导体器件的制造方法。在该超级结半导体器件的制造方法中，在由构成超级结半导体器件的漂移层的并列的第一导电型区域(4)和第二导电型区域(5)形成的超级结构造中，在通过外延生长形成上述第一导电型区域(4)时，在半导体源气体之前向外延生长管线导入第一导电型掺杂气体。

主权项

一种超级结半导体器件的制造方法，其特征在于：在高浓度的第一导电型半导体基板上，通过多次反复进行非掺杂外延生长、后续的第一导电型低掺杂外延生长、第一导电型杂质和第二导电型杂质的选择性离子注入来进行堆叠，在主电流流动的元件活性部形成超级结构造部作为漂移层，该超级结构造部由具有在与所述半导体基板的主面相垂直的方向上较长的形状且在与主面平行的方向上交替邻接配置的第一导电型区域和第二导电型区域构成，在包围该元件活性部的周边耐压构造部内，在通过所述非掺杂外延生长和所述选择性离子注入形成的前半部分超级结构造部上，在通过所述第一导电型低浓度外延生长形成第一导电型低浓度外延层时，将所述第一导电型掺杂气体在半导体源气体之前向外延生长管线导入。