[发明专利]一种封装的半导体芯片及其通孔的制造方法

摘要

在公开中，提供了一种封装的半导体芯片及其制造方法，该封装的半导体芯片的金属线与焊盘的截面形成电学接触并连接到位于芯片背面的焊球，所述焊盘包括至少两层金属层，以及位于所述至少两层金属层之间的多个通孔，所述通孔分别具有平行于所述金属层的细长的截面，一方面，保证了在为了露出焊盘截面而切割芯片时，肯定会切割到通孔，增加了通孔与金属线的接触面积，从而减小了接触电阻；另一方面，由于通孔具有细长的形状，在切割时通孔不容易被拉断或离散，从而避免了散落的通孔而可能带来的短路问题，即连接的可靠性得到了提高。

主权项

一种制造通孔的方法，包括：在半导体芯片上形成第一金属层，所述第一金属层位于所述半导体芯片的有效区域的外围；在所述第一金属层上形成介质层；以及刻蚀所述介质层直至露出所述第一金属层，从而形成至少一个彼此隔离的通孔，其特征在于，所述通孔具有平行于所述第一金属层的细长的截面，所述通孔的长度大于1μm，长宽比大于2∶1，并且所述截面的方向从所述有效区域指向所述第一金属层的靠近切割道的边缘，并且和所述切割道形成大于10度的角度。