[发明专利]垂直互补场效应管无效
| 申请号： | 201110056548.4 | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102684485A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 黄勤 | 申请（专利权）人： | 无锡维赛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155;H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市无锡国家高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 垂直互补场效应管，涉及半导体芯片生产技术。更具体的说，涉及功率集成电路芯片生产技术。本发明的衬底层局部延伸入中间层并形成位于两个MOS单元之间的栓部，衬底层的下侧设有导出端，当两个MOS单元的栅极施加开通电压后，形成MOS单元-栓部-衬底层-导出端的两个导流通道。本技术可以集成俩个以上MOS管，因而减小了芯片尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 互补 场效应 | ||
【主权项】：
垂直互补场效应管，包括至少两个MOS单元，其特征在于：还包括衬底层和设于衬底层上的中间层，该中间层与一个MOS单元对应处嵌有阱区，衬底层的PN极性与中间层相反，与阱区相同，所述的每个MOS单元包括一对PN同性电极和一个栅极，两个MOS单元的电极PN极性相反，其中一对电极设于中间层上并能在栅极控制下在中间层形成导通沟道，另一对电极设于阱上并能在栅极控制下在阱中形成导通沟道，所述的衬底层局部延伸入中间层并形成位于两个MOS单元之间的栓部，衬底层的下侧设有导出端，当两个MOS单元的栅极施加开通电压后，形成MOS单元‑栓部‑衬底层‑导出端的两个导流通道。
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