[发明专利]限幅器以及采用限幅器的半导体器件有效
| 申请号： | 201110056564.3 | 申请日： | 2005-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102176238A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 加藤清 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077;H01L27/02;H01L27/13;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;卢江 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及限幅器以及采用限幅器的半导体器件。本发明的限幅器采用包括浮栅的堆叠栅薄膜晶体管(TFT)作为二极管。当采用包括浮栅的TFT时，即使在存在TFT阈值电压Vth的变化的情况下，借助于控制聚集在浮栅中的电荷量，也可以控制阈值电压Vth。 | ||
| 搜索关键词： | 限幅器 以及 采用 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：集成电路，以及连接到集成电路的天线，其中集成电路包括限幅器；所述限幅器包括晶体管；晶体管的浮栅和控制栅彼此重叠，其间插入有绝缘膜；晶体管的浮栅是电浮动的并且被配置成聚集电荷；晶体管的漏极被连接到控制栅；以及在浮栅中聚集的电荷量通过晶体管的控制栅和源极之间的电压来控制。
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