[发明专利]分栅闪存单元及其制造方法有效
| 申请号： | 201110057567.9 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102169854A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/768;H01L27/115;G11C16/04;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种分栅闪存单元制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有选择栅栅介质层、选择栅电极层；依次刻蚀所述选择栅电极层、选择栅栅介质层、半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽表面依次形成隧穿氧化层、存储层、顶部氧化层，以及填充满所述沟槽的字线；在字线两侧形成选择栅；在选择栅两侧形成源、漏区。相应地，本发明的实施例还提供通过上述方法所形成的分栅闪存单元。采用本发明的实施例可以降低分栅闪存单元的编程电压，并且有利于器件的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种分栅闪存单元制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有选择栅栅介质层、选择栅电极层；依次刻蚀所述选择栅电极层、选择栅栅介质层、半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽表面依次形成隧穿氧化层、存储层、顶部氧化层，以及填充满所述沟槽的字线；在字线两侧形成选择栅；在选择栅两侧形成源、漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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