[发明专利]制造MEMS器件的方法以及MEMS器件有效
| 申请号： | 201110057805.6 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102190286A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 胜木隆史;岛内岳明;今井雅彦;丰田治;上田知史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及制造MEMS器件的方法以及MEMS器件，并提供了制造优选地用于微机电系统的器件的制造方法。该方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电极，其中第一电极至少在其一端处具有第一倾斜端部；在第一电极上形成牺牲层，其中牺牲层具有第一倾斜边缘，该第一倾斜边缘和第一倾斜端部彼此叠置，使得第一倾斜边缘的厚度随着第一倾斜端部的厚度增加而减小；在第一电极上形成第一隔离体，其中第一隔离体与第一倾斜边缘接触；在牺牲层和第一隔离体上形成梁电极；以及在形成梁电极以后去除牺牲层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 mems 器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种制造器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极，所述第一电极至少在其一端处具有第一倾斜端部；在所述第一电极上形成牺牲层，所述牺牲层具有第一倾斜边缘，所述第一倾斜边缘和所述第一倾斜端部彼此叠置，使得所述第一倾斜边缘的厚度随着所述第一倾斜端部的厚度增加而减小；在所述第一电极上形成第一隔离体，所述第一隔离体与所述第一倾斜边缘接触；在所述牺牲层和所述第一隔离体上形成梁电极；以及在形成所述梁电极以后去除所述牺牲层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110057805.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
