[发明专利]应变Ge沟道器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201110058128.X | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102184954A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王敬;许军;郭磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种应变Ge沟道器件，包括：表面具有氧化物绝缘层的硅衬底；形成在所述氧化物绝缘层之上的Ge层，其中，Ge层与氧化物绝缘层之间形成有第一钝化薄层；形成在所述Ge层之上的栅堆叠；形成在所述栅堆叠之下的沟道区，以及形成在沟道区两侧的漏极和源极，其中，漏极和源极为SiGe1-xCx以使所述沟道区产生张应变，其中，0≤x≤1。通过本发明实施例形成的SiGe1-xCx源极和漏极形成的Ge沟道器件，不仅结构简单，并且工艺难度低，便于形成。此外，通过本发明实施例形成的SiGe1-xCx源极和漏极可以使Ge沟道器件的沟道区产生张应变，从而提高Ge沟道器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 ge 沟道 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种应变Ge沟道器件，其特征在于，包括：表面具有氧化物绝缘层的硅衬底；形成在所述氧化物绝缘层之上的Ge层，其中，所述Ge层与所述氧化物绝缘层之间形成有第一钝化薄层；形成在所述Ge层之上的栅堆叠；和形成在所述栅堆叠之下的沟道区，以及形成在沟道区两侧的漏极和源极，其中，所述漏极和源极为SiGe1‑xCx以使所述沟道区产生张应变，其中，0≤x≤1。
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