[发明专利]存储器单元及非易失性存储器装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201110058518.7 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102201453A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 池育德;林崇荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器单元及非易失性存储器装置及其形成方法，所述非易失性存储器装置是含有多个纳米晶体的电荷存储层的非易失性存储器装置。该存储器单元提供具有源极区及漏极区的基板。在基板上形成选择栅极及控制栅极。在选择栅极及控制栅极之间提供电荷存储层。在电荷存储层中的纳米晶体的尺寸约1nm至10nm，且可由硅或锗形成。借由热电子注射(hot electron injection)、福勒诺德海姆穿隧(FN tunneling)或源极侧注入(source-side injection)进行写入操作，而利用福勒诺德海姆穿隧进行删除操作。控制栅极由单一多晶硅层形成，因此减少形成装置所需的总工艺数目，因而减少成本。本发明的非易失性存储器装置可以实现提升性能、降低成本和提高良率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 非易失性存储器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，包括：一基板，具有一源极区及一漏极区；一控制栅极，设置在该基板上；以及一电荷存储层，设置在该基板及该控制栅极间，其中该电荷存储层包括一具有多个纳米晶体的绝缘材料，以及该控制栅极由一单一多晶硅层组成。
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