[发明专利]制造芯片的方法、气体传感器装置、在芯片上镀碳纳米管的方法无效
申请号: | 201110058648.0 | 申请日: | 2011-03-11 |
公开(公告)号: | CN102279220A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 潘元志 | 申请(专利权)人: | 潘元志 |
主分类号: | G01N27/70 | 分类号: | G01N27/70;B81C1/00;B81B7/02 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;汪海屏 |
地址: | 753000 宁夏回族*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | 本发明提供一种制造芯片的方法,芯片用于气体传感器,包括:步骤102,在基底上制作芯片的电极;步骤104,在基底上制作电极间的连线;步骤106,在电极上镀上碳纳米管。通过本技术方案,可以制造出电极上具有碳纳米管的芯片,通过碳纳米管保证了气体传感器对气体快速灵敏地检测。本发明还提供一种气体传感器装置和在芯片上镀碳纳米管的方法。通过本发明,通过电极上的碳纳米管,增强气体传感器的芯片对气体检测的速度和灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 制造 芯片 方法 气体 传感器 装置 上镀碳 纳米 | ||
【主权项】:
一种制造芯片的方法,所述芯片用于气体传感器,其特征在于,包括:步骤102,在基底上制作所述芯片的电极;步骤104,在所述基底上制作所述电极间的连线;步骤106,在所述电极上镀上碳纳米管。
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