[发明专利]制造芯片的方法、气体传感器装置、在芯片上镀碳纳米管的方法无效

专利信息
申请号: 201110058648.0 申请日: 2011-03-11
公开(公告)号: CN102279220A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 潘元志 申请(专利权)人: 潘元志
主分类号: G01N27/70 分类号: G01N27/70;B81C1/00;B81B7/02
代理公司: 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 代理人: 尚志峰;汪海屏
地址: 753000 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明提供一种制造芯片的方法,芯片用于气体传感器,包括:步骤102,在基底上制作芯片的电极;步骤104,在基底上制作电极间的连线;步骤106,在电极上镀上碳纳米管。通过本技术方案,可以制造出电极上具有碳纳米管的芯片,通过碳纳米管保证了气体传感器对气体快速灵敏地检测。本发明还提供一种气体传感器装置和在芯片上镀碳纳米管的方法。通过本发明,通过电极上的碳纳米管,增强气体传感器的芯片对气体检测的速度和灵敏度。
搜索关键词: 制造 芯片 方法 气体 传感器 装置 上镀碳 纳米
【主权项】:
一种制造芯片的方法,所述芯片用于气体传感器,其特征在于,包括:步骤102,在基底上制作所述芯片的电极;步骤104,在所述基底上制作所述电极间的连线;步骤106,在所述电极上镀上碳纳米管。
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