[发明专利]三氯硅烷制造装置有效
申请号: | 201110058697.4 | 申请日: | 2011-03-11 |
公开(公告)号: | CN102190305A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 水岛一树;斎木涉;村上直也;三宅政美 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱美红;杨楷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在该三氯硅烷制造装置中,反应室(101)的内部空间被沿着周向的第1壁(11A~11E)沿半径方向区划,并且被沿与周向交叉的方向延伸的第2壁(12A、12B)区划为多个,在第1壁(11A~11E)及第2壁(12A、12B)的上部或下部,形成使导入的原料气体依次经由各小空间(21~26)一边上下折回一边朝向反应室(101)的中心部流通的连通部(28),在各小空间(21~26)中设置有加热器(40),第2壁(12A、12B)的两侧的小空间(21~25)的一个是朝上流路用小空间,另一个为朝下流路用小空间,这些小空间(21~25)经由第2壁(12A、12B)的连通部(28)连通。 | ||
搜索关键词: | 硅烷 制造 装置 | ||
【主权项】:
一种三氯硅烷制造装置,是从包括四氯硅烷和氢的原料气体制造三氯硅烷的装置,其特征在于,具有被供给上述原料气体、生成包括三氯硅烷和氯化氢的反应气体的反应室、和设在上述反应室之中的加热器;上述反应室的内部空间被沿着周向的第1壁沿半径方向区划为多个;由上述第1壁形成的空间的至少一个被沿与周向交叉的方向延伸的第2壁区划为多个;在上述反应室的内部空间中,形成由上述第1壁彼此区划的小空间、及/或由上述第1壁及上述第2壁区划的小空间;上述小空间通过形成在区划上述小空间的上述第1壁及/或上述第2壁的上部或下部的连通部而成为连通状态,以使上述原料气体通过上下折回而一边改变流动的方向一边朝向上述反应室的中心部流通;在上述各小空间中的至少一部分中设置上述加热器;通过形成在上述第2壁上的上述连通部,使朝上流路用小空间与朝下流路用小空间沿周向连通。
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