[发明专利]双极存储单元、包括其的存储器件及其操作和制造方法无效
| 申请号： | 201110059136.6 | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102194994A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 金昌桢;金英培;许智贤;李东洙;张晚;李昌范;李承烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双极存储单元、包括其的存储器件及其操作和制造方法。该双极存储单元包括具有相反编程方向的两个双极存储层。所述两个双极存储层可经由设置在它们之间的中间电极彼此连接。所述两个双极存储层可具有相同的结构或者相对的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 包括 器件 及其 操作 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储单元，包括：第一双极存储层；第二双极存储层，连接到第一双极存储层，其中，第一双极存储层和第二双极存储层具有相反的编程方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110059136.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于3取2计算机系统的预执行方法
- 下一篇：一种节约型膏剂挤压管
