[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统有效
| 申请号： | 201110059408.2 | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102194951A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 郑明训;罗珉圭;丁圣勋 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/20;H01L33/04;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;H01L33/00;F21S2/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光器件、发光器件封装、以及照明系统。发光器件包括：第一导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层上的有源层；在有源层上的第二导电类型半导体层；未掺杂的半导体层，该未掺杂的半导体层设置在第二导电类型半导体层上并且包括多个第一孔；以及第三导电类型半导体层，该第三导电类型半导体层设置在未掺杂的半导体层上并且包括多个第二孔。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 以及 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电类型半导体层；在所述第一导电类型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电类型半导体层；未掺杂的半导体层，所述未掺杂的半导体层设置在所述第二导电类型半导体层上并且包括多个第一孔；以及第三导电类型半导体层，所述第三导电类型半导体层设置在所述未掺杂的半导体层上并且包括多个第二孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110059408.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种自移动台产生用于上行传输的预编码器的方法与装置
- 下一篇：半导体装置
