[发明专利]室温单电子晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201110059597.3 | 申请日： | 2011-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102169837A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李加东;吴东岷;谢杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种室温单电子晶体管的制备方法。该方法为：在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极，并通过不同试剂的修饰处理令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成静电漏斗结构；至少将该衬底表面置于纳米粒子的分散液中，令纳米粒子在静电漏斗的引导下排布在单电子晶体管的源极与漏极之间；对衬底进行干燥处理，并在该衬底表面上覆设绝缘层。本发明的优点至少在于：克服了当前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序及不具备大规模制备单电子晶体管的能力等方面的问题，同时降低了单电子晶体管的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 电子 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种室温单电子晶体管的制备方法，其特征在于，该方法为：在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极，并令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成静电漏斗结构；至少将该衬底表面置于纳米粒子的分散液中，令纳米粒子在静电漏斗的引导下排布在单电子晶体管的源极与漏极之间；对衬底进行干燥处理，并在该衬底表面上覆设绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
