[发明专利]三维半导体存储装置及其形成方法

摘要

本发明公开了一种三维半导体存储装置及其形成方法。非易失性存储装置包括在基底上的非易失性存储单元的串。该非易失性存储单元的串包括在基底上的非易失性存储单元的第一垂直堆叠件和在非易失性存储单元的第一垂直堆叠件上的串选择晶体管。非易失性存储单元的第二垂直堆叠件也设置在所述基底上，接地选择晶体管设置在非易失性存储单元的第二垂直堆叠件上。非易失性存储单元的第二垂直堆叠件邻近于非易失性存储单元的第一垂直堆叠件设置。结掺杂半导体区域设置在基底中。该结掺杂区域将非易失性存储单元的第一垂直堆叠件与非易失性存储单元的第二垂直堆叠件以串联形式电连接，使得这些堆叠件可以作为单个NAND型存储单元的串而工作。

主权项

一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括在基底上的非易失性存储单元的串，所述非易失性存储单元的串包括：在基底上的非易失性存储单元的第一垂直堆叠件和在非易失性存储单元的第一垂直堆叠件上的串选择晶体管；在基底上的非易失性存储单元的第二垂直堆叠件和非易失性存储单元的第二垂直堆叠件上的接地选择晶体管；在基底中的结掺杂半导体区域，将非易失性存储单元的第一垂直堆叠件与非易失性存储单元的第二垂直堆叠件串联地电连接。