[发明专利]托盘装置及结晶膜生长设备有效
申请号: | 201110059870.2 | 申请日: | 2011-03-11 |
公开(公告)号: | CN102485953A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
发明(设计)人: | 古村雄二;张建勇;徐亚伟;张秀川;周卫国;董志清 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张天舒;陈源 |
地址: | 100015 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于结晶膜生长技术领域,具体提供一种用于承载被加工基片的托盘装置,其包括多个沿纵向层叠设置的托盘,并且相邻托盘之间具有一定间距。此外,本发明还提供一种结晶膜生长设备,其包括工艺腔室、工艺气体输送系统及排气系统,并且在所述工艺腔室内设置有本发明提供的上述托盘装置,用以在工艺过程中承载基片。本发明提供的托盘装置及具有该托盘装置的结晶膜生长设备,能够以较低的成本来增加每次工艺所能处理的基片数量,进而提高产能。 | ||
搜索关键词: | 托盘 装置 结晶 生长 设备 | ||
【主权项】:
一种托盘装置,用于承载被加工基片,其特征在于,包括多个沿纵向层叠设置的托盘,并且相邻托盘之间具有一定间距。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的