[发明专利]包括柔性基板或硬性基板的光电装置及其制造方法无效
申请号: | 201110060216.3 | 申请日: | 2011-03-14 |
公开(公告)号: | CN102194921A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 明承烨 | 申请(专利权)人: | 韩国铁钢株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/04 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 邬玥;葛强 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供光电装置及其制造方法,该制造方法包括:在多个工序腔室组中于第i个(i为1以上的自然数)工序腔室组内形成具有第一结晶体积分率的第一子层的步骤;在所述多个工序腔室组中于第i+1个工序腔室组内形成与所述第一子层接触且含晶硅粒子并具有比所述第一结晶体积分率大的第二结晶体积分率的第二子层的步骤。 | ||
搜索关键词: | 包括 柔性 硬性 光电 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电装置的制造方法,其中,所述光电装置包括基板、位于所述基板上的第一电极以及第二电极、位于所述第一电极以及所述第二电极之间的第一导电性半导体层、含第一子层以及第二子层的纯半导体层以及第二导电性半导体层,该方法包括:在多个工序腔室组中于第i个(i为1以上的自然数)工序腔室组内形成具有第一结晶体积分率的所述第一子层的步骤;在所述多个工序腔室组中于第i+1个工序腔室组内形成与所述第一子层接触且含晶硅粒子并具有大于所述第一结晶体积分率的第二结晶体积分率的第二子层的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的