[发明专利]用于校准温度测量器件的方法和用于确定晶片温度的方法

摘要

本发明提供了用于晶片温度测量和温度测量器件校准的方法和装置，它们可基于对半导体晶片中层的吸收的确定而实现。所述吸收的确定可通过朝晶片引导光并测量从光所入射的表面下被晶片反射的光而实现。校准晶片和测量系统可布置和构造成使得以相对晶片表面预定角度反射的光被测量，而其它光不会。测量还可基于评价晶片中或晶片上的图案的像的对比度。其它测量法可采用确定晶片内光程长度以及根据反射或透射光的温度测量。

主权项

一种校准温度测量器件的方法，该方法包括：将校准晶片加载到处理室中，所述校准晶片中的至少一种材料具有在第一已知波长上的光学吸收随温度变化的特征，并且所述校准晶片中的至少一种材料具有在第二已知波长上的穿过所述校准晶片的光程长度随温度变化的特征；在开始加热之前，或者在加热周期中一个相对较早的点上，至少在低于需要最严格的温度控制的处理温度的温度下，测量所述校准晶片在第一波长上的吸收特性，以确定所述校准晶片的第一温度T1的绝对温度值；将所述校准晶片的温度改变至第二温度T2；确定从第一温度T1到第二温度T2，所述校准晶片的光程长度的变化，并由所述光程长度的变化确定校准晶片温度的对应变化，其中由利用相干光进行的第一测量和第二测量推导出穿过校准晶片的光程长度的变化；基于所确定的第一温度T1的绝对温度值以及基于所确定的从第一温度T1到第二温度T2校准晶片温度的变化，确定所述校准晶片的第二温度T2；并且基于所述校准晶片的第一温度T1和第二温度T2，校准温度测量器件。