[发明专利]硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料及制备方法无效
| 申请号： | 201110061545.X | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102179977A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张幸红;胡平;韩文波;周鹏;何汝杰;侯杨 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | B32B18/00 | 分类号： | B32B18/00;C04B35/66;C04B35/58;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料及制备方法，本发明涉及一种超高温陶瓷材料及制备方法。本发明解决了现有硼化物超高温陶瓷基复合材料韧性差的问题。本发明硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料由残余压应力层和残余拉应力层交替叠层制成。方法：一、称取原料；二、制备残余压应力层粉体和残余拉应力层粉体；三、制备层状混合物；四、层状混合物经过烧结、保温即得到硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料。本发明硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料的断裂韧性值最高达10.4MPam1/2，本发明制备工艺简单，成本低，本发明在提高断裂韧性的同时并没有对材料的强度造成不利的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 硼化锆 碳化硅 层状 复合 超高温 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
硼化锆‑碳化硅层状复合超高温陶瓷材料，其特征在于硼化锆‑碳化硅层状复合超高温陶瓷材料由残余压应力层和残余拉应力层交替叠层制成，硼化锆‑碳化硅层状复合超高温陶瓷材料的最外层为残余压应力层，其中，残余压应力层按重量份数比由60～80份的硼化锆和20～40份的碳化硅制成，残余拉应力层按重量份数比由70～90份的硼化锆和10～30份的碳化硅制成，残余压应力层和残余拉应力层的厚度比为1∶0.5～6。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110061545.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
