[发明专利]绝缘体上硅衬底上的静态随机存取存储器及制作方法

摘要

本发明提供一种形成于绝缘体上硅衬底上的静态随机存取存储器及制作方法，在相邻的不同类型晶体管之间采用浅沟槽隔离，使相邻的不同类型晶体管的有源区完全隔离，不会产生如体硅衬底中的闩锁效应；同时在相邻的相同类型晶体管之间采用超浅沟槽隔离，使得相邻的相同类型晶体管之间的体区相通，在多个存储单元中相通的体区之上的有源区内进行离子注入形成掺杂类型同其体区掺杂类型相同、且同其体区相接触的体区引出区，每个体区引出区可消除与其相接触的多个存储单元中相通体区的浮体效应。本发明的形成于绝缘体上硅衬底上的静态随机存取存储器有效减少了体区引出区的数目，因此可有效的减小器件面积，同时也消除了体区的浮体效应。

主权项

一种形成于绝缘体上硅衬底上的静态随机存取存储器，包括多个存储单元，所述每个存储单位包括：第一和第二存取NMOS晶体管；第一驱动NMOS晶体管和第一负载PMOS晶体管，该些晶体管构成第一反相器，其根据第二存取NMOS晶体管的操作被有选择地驱动；以及第二驱动NMOS晶体管和第二负载PMOS晶体管，该些晶体管构成第二反相器，其根据第一存取NMOS晶体管的操作被有选择地驱动；所述晶体管均形成在SOI衬底的有源区上，所述有源区包括体区、源区和漏区；其特征在于，所述每个存储单元内及所述每个存储单元之间，相邻的不同类型的晶体管之间具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构同所述SOI衬底的掩埋绝缘层相接触；相邻的相同类型的晶体管之间具有超浅沟槽隔离结构，所述超浅沟槽隔离结构将所述相邻的相同类型晶体管之间的部分有源区隔离开，使得所述相邻的相同类型晶体管之间的源区/漏区被所述超浅沟槽隔离结构隔离开，而其体区相通；所述多个存储单元中相通的体区之上的有源区内通过离子注入形成有掺杂类型同其体区掺杂类型相同、且同其体区相接触的体区引出区。