[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110061664.5 申请日: 2011-03-15
公开(公告)号: CN102420202A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 丸谷尚一;岩见康成;近井智哉;高桥知子;山方修武;三次真吾;陈崇浩 申请(专利权)人: 株式会社吉帝伟士
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;许伟群
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种提高在半导体元件上形成的布线的连接性的合格率、且在支持板上安装半导体元件时无需高精度的半导体装置及其制造方法。半导体装置的特征在于具备:支持板;载置在支持板上并具有形成了多个第一电极的电路元件面的半导体元件;覆盖半导体元件的电路元件面并具有将多个第一电极露出的多个第一开口的第一绝缘层;覆盖形成有第一绝缘层的半导体元件的侧部和支持板的上部的第二绝缘层;和与第二绝缘层的上部和第一绝缘层相接触地形成并与多个第一电极电连接的布线层。根据本发明的半导体装置的制造方法,可以制造减轻热应力导致的支持板翘曲、提高布线连接性的合格率、且无需在开口形成时所要求的半导体元件的高安装精度的半导体装置。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:支持板;载置在所述支持板上并具有形成了多个第一电极的电路元件面的半导体元件;覆盖所述半导体元件的电路元件面并具有将所述多个第一电极露出的多个第一开口的第一绝缘层;覆盖形成有所述第一绝缘层的半导体元件的侧部以及所述支持板的上部的第二绝缘层;以及与第二绝缘层的上部以及所述第一绝缘层相接触地形成并与所述多个第一电极电连接的布线层。
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