[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体晶片具有多个第一半导体管芯。第一导电层形成在所述管芯的有源表面上。第一绝缘层形成在所述有源表面和第一导电层上。再钝化层形成在第一绝缘层和第一导电层上。形成通过再钝化层至第一导电层的通路。所述半导体晶片被单体化以分离半导体管芯。半导体管芯被安装到临时载体。在半导体管芯和载体上沉积密封剂。除去载体。第二绝缘层形成在再钝化层和密封剂上。第二导电层形成在再钝化层和第一导电层上。第三绝缘层形成在第二导电层和第二绝缘层上。互连结构形成在第二导电层上。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有多个半导体管芯的半导体晶片，每个半导体管芯具有有源表面；在有源表面上形成第一导电层；在有源表面和第一导电层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层和第一导电层上形成再钝化层；形成通过再钝化层延伸到第一导电层的通路；将半导体晶片单体化以分离半导体管芯；在半导体管芯上沉积密封剂；在再钝化层和密封剂上形成第二绝缘层；在再钝化层和第一导电层上形成第二导电层；以及在第二导电层和第二绝缘层上形成第三绝缘层。