[发明专利]一种高压半导体结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110061788.3 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102184947A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 范春晖;孙德明 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压半导体结构及其制备方法。所述高压半导体结构包括半导体衬底，设置于所述半导体衬底表面的双层斜坡介质层，设置于所述半导体衬底和所述双层斜坡介质层表面的金属场板结构。所述双层斜坡介质层的顶层为高介电常数介质材料，可以缓和场板外边界处密集的电场线，降低下方半导体表面电场强度的峰值大小，提高半导体结构的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高压半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，设置于所述半导体衬底表面的双层斜坡介质层，及设置于所述半导体衬底和所述双层斜坡介质层表面的斜坡金属场板结构；所述双层斜坡介质层包括底层介质层以及位于底层介质层上的顶层介质层，所述顶层介质层为高介电常数介质材料，所述顶层介质层的介电常数大于底层介质层的介电常数。
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