[发明专利]氮化物系半导体发光结构无效
| 申请号： | 201110062150.1 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102683526A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李允立;赖彦霖 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;彭晓玲 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物系半导体发光结构，其包含P型氮化物系半导体层、N型氮化物系半导体层及氮化物系半导体主动层。所述氮化物系半导体主动层形成于P型氮化物系半导体层及N型氮化物系半导体层之间，其中氮化物系半导体主动层包含井层与障壁层交互积层而构成的多重量子井构造，上述主动层的障壁层中，靠近P型氮化物系半导体层侧的障壁层共掺杂有P型及N型离子。此外，氮化物系半导体主动层包含发光区及非发光区，发光区及非发光区皆由至少一障壁层与至少一井层所组成，每一个障壁层及井层彼此交互积层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体发光结构，包含：一P型氮化物系半导体层；一N型氮化物系半导体层；以及一氮化物系半导体主动层，其形成于该P型氮化物系半导体层及该N型氮化物系半导体层之间，其特征在于，该氮化物系半导体主动层包含井层与障壁层交互积层而构成的多重量子井构造，该氮化物系半导体主动层的障壁层中，靠近该P型氮化物系半导体层侧的障壁层掺杂有P型离子及N型离子。
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