[发明专利]智能标签、其制作方法、及具备其的商品的管理方法有效
申请号: | 201110062354.5 | 申请日: | 2004-02-24 |
公开(公告)号: | CN102184891A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 荒井康行;石川明;高山彻;丸山纯矢;后藤裕吾;大野由美子;馆村祐子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G06K19/077 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 汤春龙;蒋骏 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 智能标签、其制作方法、及具备其的商品的管理方法用硅片制成的集成电路由于其厚度厚,如果搭载到容纳商品的容器自身上,势必使容器的表面出现凸凹不平,这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路,以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同,具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管,则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄,所以即使搭载到卡或容器等商品,也不会损伤商品的设计性。 | ||
搜索关键词: | 智能 标签 制作方法 具备 商品 管理 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜集成电路器件的制作方法,它包括以下步骤:在第一衬底上形成金属膜;在该金属膜上形成由层叠含有硅的氧化膜和含有氮的绝缘膜而形成的绝缘膜;在该绝缘膜上形成半导体膜;形成具有该半导体膜的薄膜集成电路;在所述半导体膜上用第一粘合剂粘合第二衬底;分离所述第一衬底;将所述金属膜和第三衬底用第二粘合剂粘合在一起;以及去除所述第一粘合剂,并分离所述第二衬底,其中,在所述金属膜上形成金属氧化物,其中,所述金属氧化物的层内,或所述金属膜和所述金属氧化物的分界处执行分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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