[发明专利]一膜多用的掩膜法制备的N型太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及N型太阳能电池领域，特别是一种一膜多用的掩膜法制备的N型太阳能电池及其制备方法。该N型太阳能电池是：以n型直拉单晶硅为基体，硅片的背面是覆盖有SiO2和SiNx双层钝化膜的硼扩散制备的P型发射结，硅片的正面是磷扩散制备的前表面场，前表面场上覆盖有起钝化和减反射作用的薄膜。制备该N型太阳能电池的方法是：以n型直拉单晶硅为基体，首先通过硼扩散制备P型发射结，然后刻蚀掉正面的P型发射结，在硅片背面的P型发射结上制作SiO2薄膜，该SiO2薄膜既是后续磷扩散制备前表面场的掩膜，又是P型发射结的钝化膜，最后通过磷扩散制备前表面场。本发明的有益效果是：工艺过程简单，容易控制，成本低，光电转换效率高。

主权项

一种一膜多用的掩膜法制备的N型太阳能电池，其特征是：以n型直拉单晶硅为基体(1)，硅片的背面是覆盖有钝化膜的硼扩散制备的P型发射结(2)，硅片的正面是磷扩散制备的前表面场(3)，前表面场(3)上覆盖有起钝化和减反射作用的薄膜。