[发明专利]非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法

摘要

本发明的目的是克服现有技术的不足，公开了一种非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，该给药系统包括给药池、接受池、导电硅胶电极、离子渗透仪或交流电发生仪，其制备方法采取如下步骤：A.选择给药池溶液和接受池溶液；B.置换葛根素离子交换膜；C.判断是否提取完全；D.葛根素离子交换膜置入导电硅胶电极；E.连接葛根素离子渗透给药系统。在试验所采用的条件下，采用非创伤性给药方式，药物的渗透量明显提高，因此本发明提供了一种安全、快速、方便的新型给药系统的制备方法。

主权项

一种非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，其特征在于，该给药系统包括给药池、接受池、导电硅胶电极、离子渗透仪或交流电发生仪，其制备方法采取如下步骤：选择给药池溶液和接受池溶液：给药池溶液选用pH值为5.0‑5.5之间的葛根素溶液，其pH范围内离子型药物占药物总浓度的96%以上，保证离子渗透过程顺利完成，给药池中同时加入皮肤渗透促进剂，接受池溶液选用生理盐水；置换葛根素离子交换膜：将阳离子交换膜切割成所需大小，经去离子水冲洗后，置于含有皮肤渗透促进剂的pH值为5.0‑5.5之间的葛根素饱和溶液中，再经水浴摇床震荡，水浴摇床的温度为37℃，震荡时间为12hr，此时葛根素饱和溶液中的葛根素离子与阳离子交换膜进行置换，并检测被置换溶液中葛根素残留量，多次置换，直至离子交换膜上所吸附葛根素离子达到饱和；判断是否提取完全：为确定饱和后葛根素离子交换膜的药物吸附量，用乙醇为溶剂反复提取饱和后的葛根素离子交换膜上的药物，直到最后一次提取量小于第一次提取量的10%时，认为提取完全；葛根素离子交换膜置入导电硅胶电极：取出饱和后的葛根素离子交换膜，用吸水纸将葛根素离子交换膜表面的液层吸干，然后置入导电硅胶电极内，再将硅胶压紧，使葛根素离子交换膜和导电硅胶电极密合；连接葛根素离子渗透给药系统：根据直流电或交流电或直流电/交流电结合的不同电源，采用离子渗透仪或交流电发生仪与给药池、接受池、导电硅胶电极连接为离子渗透水平扩散或垂直扩散方式。