[发明专利]一种制备太阳能电池级多晶硅产品的方法无效
申请号: | 201110062844.5 | 申请日: | 2011-03-16 |
公开(公告)号: | CN102185017A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 陆国富 | 申请(专利权)人: | 常州市万阳光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B29/06 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 张利强 |
地址: | 213115 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种制备太阳能电池级多晶硅产品的方法,包括多晶硅原料的选取、坩埚的喷涂及烘烤、装料、定向长晶、线切割、检测及切除不达标部分、磨光、倒角、切片,从而完成产品的加工。本发明具有工艺科学,流程连续,节约能源,减轻污染,生产安全,产品质量稳定可靠等显著优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 太阳能电池 多晶 产品 方法 | ||
【主权项】:
一种制备太阳能电池级多晶硅产品的方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤1、选取多晶硅原料;步骤2、在坩埚内壁喷涂氮化硅溶液;步骤3、将喷涂好的坩埚放入烘箱中烧结;步骤4、将准备好的多晶硅原料装入坩埚中;步骤5、将装好的坩埚放入定向长晶装置中进行加热至1400℃‑1500℃,使多晶硅原料熔化成液态,保持一个稳定的温度梯度,定向长晶,然后退火、冷却,凝固成型多晶硅锭,炉外冷却,整个过程为48‑60小时;步骤6、将多晶硅锭粘接在晶托上,装入切割机床,设置切割参数,对多晶硅锭进行切割,将多晶硅切割成大小相等的25块;步骤7、通过检测装置检测切割后的多晶硅块,在不达标的部位划线,放入截断机截断,切除不达标部分;步骤8、将截断后的多晶硅块表面磨光,然后用倒角机进行倒角;步骤9、将倒角后的多晶硅块切片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的