[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110064215.6 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102194890A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李卓泳;朴炳建;郑胤谟;朴种力;李东炫;李基龙;徐晋旭;郑珉在;孙榕德;苏炳洙;朴承圭;李吉远;郑在琓 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)，所述TFT包括基底和在基底上的有源区域，该有源区域包括在有源区域的相对端处的源极区域和漏极区域、至少一个与源极区域或漏极区域相邻的轻掺杂区域、多个沟道区域和在所述多个沟道区域中的两个沟道区域之间的高掺杂区域。所述TFT包括在有源区域上的栅绝缘层和多栅电极，所述多栅电极包括在栅绝缘层上的多个栅电极，所述多个沟道区域设置在对应的栅电极下方，所述源极区域和漏极区域被设置为与所述多栅电极的最外部相邻。所述TFT包括在所述多栅电极上的第一层间绝缘层和源电极与漏电极，所述源电极与漏电极延伸通过第一层间绝缘层并与各自的源极区域和漏极区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基底；有源区域，在基底上并包括在有源区域的相对端处的源极区域和漏极区域、与源极区域或漏极区域相邻的至少一个轻掺杂区域、多个沟道区域和在所述多个沟道区域中的两个沟道区域之间的高掺杂区域；栅绝缘层，在有源区域上；多栅电极，包括在栅绝缘层上的多个栅电极，所述多个沟道区域设置在对应的栅电极下方，所述源极区域和漏极区域被设置为与所述多栅电极的最外部相邻；第一层间绝缘层，在所述多栅电极上；源电极和漏电极，所述源电极延伸通过第一层间绝缘层并与源极区域接触，所述漏电极延伸通过第一层间绝缘层并与漏极区域接触。
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