[发明专利]粘合剂组合物、半导体晶片保护膜形成用片材

摘要

本发明的粘合剂组合物含有：(A)苯氧树脂100质量份；(B)环氧树脂5～200质量份；(C)烷氧基硅烷部分水解缩合物1～20质量份，包含下述通式(1)、(2)所示的烷氧基硅烷中的1种或2种以上的烷氧基硅烷的部分水解缩合物，重均分子量为300以上且30000以下，残留烷氧基量为2wt％以上且50wt％以下；(D)环氧树脂固化催化剂；(E)无机填充剂；及(F)沸点为80℃～180℃，25℃下的表面张力为20～30dyne/cm的极性溶剂。本发明可以提供一种能够形成平坦性、切断特性和粘合性优异的保护膜的半导体晶片保护膜形成用片材及粘合剂组合物。Si(OR3)4(1)；R1Si(OR3)3(2)。

主权项

一种粘合剂组合物，其至少含有：(A)苯氧树脂100质量份；(B)分子中具有至少2个环氧基的环氧树脂5～200质量份；(C)烷氧基硅烷部分水解缩合物1～20质量份，其是通过包含至少下述通式(1)及(2)所示的烷氧基硅烷中的1种或2种以上的烷氧基硅烷进行水解缩合反应而合成的部分水解缩合物，重均分子量为300以上且30000以下，残留烷氧基量为2wt％以上且50wt％以下，Si(OR3)4(1)R1Si(OR3)3(2)上述通式中，R3是碳数1～3的烷基，R1是碳数1～3的烷基、苯基、氧杂环丁基、乙烯基、羟基、氨基、(甲基)丙烯酰氧基、异氰酸酯基及γ‑环氧丙氧基中的任一个，彼此可以相同或者也可以不同；(D)有效量的环氧树脂固化催化剂；(E)无机填充剂，其相对于所述(A)、(B)、(C)及(D)成分的总量100质量份为5～900质量份；及(F)沸点为80℃～180℃，25℃下的表面张力为20～30dyne/cm的极性溶剂，其相对于所述(A)、(B)、(C)、(D)及(E)成分的总量100质量份为10～300质量份。