[发明专利]半导体结构及其制法有效
| 申请号： | 201110065676.5 | 申请日： | 2011-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102655132A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 黄晖闵;林畯棠;李健伟;王彦评 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制法，该半导体结构包括：芯片、多个金属柱与缓冲层，该芯片具有硅基层与层叠结构，该硅基层具有相对的第一表面与第二表面，该第一表面上设有该层叠结构，该层叠结构包括交错相叠的至少一金属层与低介电层，该多数金属柱设于该硅基层中，且该金属柱的一端电性连接该金属层，而另一端外露于该硅基层的第二表面，该缓冲层是设于该层叠结构上。本发明的半导体结构用于使低介电层远离用以连接外部电子元件的覆晶接合面，进而能降低整体的热应力。本发明还提供该半导体结构的制法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：芯片，包括具有相对的第一表面与第二表面的硅基层以及设于该第一表面上的层叠结构，且该层叠结构包括交错相叠的至少一金属层与低介电层；多个金属柱，设于该硅基层中，且各该金属柱的一端电性连接该金属层，而另一端外露于该硅基层的第二表面；以及缓冲层，设于该层叠结构上。
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