[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置具备：第1导电型的漂移区域，从第1导电型的漏极层的表面到内部，有选择地被设于漏极层；第2导电型的基极区域，从漂移区域的表面到内部，有选择地被设于漂移区域；第1导电型的源极区域，从基极区域的表面到内部，有选择地被设于基极区域；沟槽状的门极电极，在相对于漏极层的主面大致平行的方向，从源极区域的一部分贯通邻接于源极区域的该一部分的基极区域，到达漂移区域的一部分；第2导电型的接触区域，包含有比基极区域的杂质浓度高的浓度的杂质，有选择地被设于漂移区域的表面；漏极电极，被连接于漏极层；源极电极，被连接于源极区域及接触区域，接触区域从漏极层侧朝向漂移区域延伸，与漏极层不接触。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的漂移区域，从第1导电型的漏极层的表面到内部，有选择地被设于上述漏极层；第2导电型的基极区域，从上述漂移区域的表面到内部，有选择地被设于上述漂移区域；第1导电型的源极区域，从上述基极区域的表面到内部，有选择地被设于上述基极区域；沟槽状的门极电极，在相对于上述漏极层的主面大致平行的方向上，从上述源极区域的一部分贯通与上述源极区域的上述一部分邻接于的基极区域，到达上述漂移区域的一部分；第2导电型的接触区域，包含有比上述基极区域的杂质浓度高的浓度的杂质，有选择地被设于上述漂移区域的表面；漏极电极，被连接于上述漏极层；以及源极电极，被连接于上述源极区域及上述接触区域；上述接触区域从上述漏极层侧朝向上述漂移区域延伸，与上述漏极层不接触。