[发明专利]利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜及应用

摘要

一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜，利用MOCVD技术，以玻璃基片为衬底，以二乙基锌和水为原料，以硼烷作为掺杂气体，在玻璃基片上先生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜；然后同样利用MOCVD技术，在上述薄膜基础上分阶段梯度掺杂生长ZnO，制备玻璃基片/未掺杂B或低B掺杂ZnO/正常B掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是：通过初期生长未掺杂或者低B掺杂ZnO薄膜，而后采用正常情况下的掺杂，实现大晶粒尺寸，高可见光及近红外透过率的ZnO薄膜。该薄膜适合应用于p-i-n型Si基薄膜太阳电池，尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池，可进一步提高Si薄膜电池的性能。

主权项

一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜，其特征在于由以下步骤实现：1）利用MOCVD技术，以玻璃基片为衬底，以纯度为99.995%的二乙基锌（DEZn）和水为原料，以硼烷（B2H6）作为掺杂气体，在玻璃基片上生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜，掺杂气体B2H6流量比为0%‑2.0%，薄膜厚度为（500‑1000）nm，基片衬底温度为130‑180℃； 2）利用MOCVD技术，以纯度为99.995%的二乙基锌和水作为原料，以硼烷（B2H6）作为掺杂气体，通过在未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜基础上梯度掺杂生长ZnO，制备玻璃基片/未掺杂B或低B掺杂ZnO/正常B掺杂ZnO透明导电薄膜，掺杂气体B2H6流量比为0%‑2.0%，薄膜厚度为（500‑1500）nm，基片衬底温度130‑180℃。