[发明专利]发光二极管制造方法无效
| 申请号： | 201110067219.X | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102694081A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 陈滨全;林新强;曾文良 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管制造方法，包括步骤：提供基板，该基板相对两侧分别具有第一金属层及第二金属层；开设贯穿第一金属层及基板并暴露出第二金属层的凹槽；形成在基板相对两侧之间延伸的导通层，导通层与暴露在凹槽内的第二金属层电绝缘；在凹槽内固定发光芯片，使发光芯片与第二金属层热导性连接；将发光芯片电连接至第二金属层及导通层；形成覆盖发光芯片的封装层。该制造方法可提升发光二极管的散热效率，并减少制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管制造方法，包括步骤：提供基板，该基板相对两侧分别具有第一金属层及第二金属层；开设贯穿第一金属层及基板并暴露出第二金属层的凹槽；形成在基板相对两侧之间延伸的导通层，导通层与暴露在凹槽内的第二金属层电绝缘；在凹槽内固定发光芯片，使发光芯片与第二金属层热导性连接；将发光芯片电连接至暴露在凹槽内的第二金属层及导通层；及形成覆盖发光芯片的封装层。
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