[发明专利]纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法无效
| 申请号： | 201110067723.X | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102222572A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王美丽;李京波;王岩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，包括以下几个步骤：步骤1：取一导电基片；步骤2：采用丝网印刷技术，在导电基片的表面印刷TiO2浆料；步骤3：加热，使TiO2浆料中的有机溶剂挥发，得到TiO2纳米晶多孔膜，有利于染料的吸附；步骤4：在TiO2纳米晶多孔膜上沉积ZnO晶种层3，有利于ZnO纳米线的外延生长；步骤5：采用水热化学反应法，在ZnO晶种层上外延生长ZnO纳米线阵列，有利于光生电子的直线传输并加快电荷分离，完成ZnO纳米线阵列4和TiO2纳米晶多孔膜纳米复合光阳极的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 多孔 复合 结构 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，包括以下几个步骤：步骤1：取一导电基片；步骤2：采用丝网印刷技术，在导电基片的表面印刷TiO2浆料；步骤3：加热，使TiO2浆料中的有机溶剂挥发，得到TiO2纳米晶多孔膜，有利于染料的吸附；步骤4：在TiO2纳米晶多孔膜上沉积ZnO晶种层3，有利于ZnO纳米线的外延生长；步骤5：采用水热化学反应法，在ZnO晶种层上外延生长ZnO纳米线阵列，有利于光生电子的直线传输并加快电荷分离，完成ZnO纳米线阵列4和TiO2纳米晶多孔膜纳米复合光阳极的制备。
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