[发明专利]一种降低太阳能电池发射极和埋栅电极间接触电阻的方法

摘要

一种降低太阳能电池发射极和埋栅电极间接触电阻的方法，其中，所述方法包括：在太阳能硅片表面形成一层含磷的二氧化硅，然后刻蚀露出发射极，控制所述太阳能硅片表面的晶体硅层的厚度损失10-50；利用剩余的二氧化硅作为掩膜层，淀积金属；之后进行两次快速热制程退火处理，最后形成金属硅化物的埋栅电极。本发明的方法制作的太阳能电池中，首先在刻蚀露出发射极的过程中，控制所述太阳能硅片表面的晶体硅层的厚度损失，从而控制了金属硅化物的厚度，在此厚度范围内，通过两次严格限定的快速热制程退火处理，在埋栅电极和发射极之间形成了良好的欧姆接触，从而大幅降低电池的串联电阻，达到改善填充因子，短路电流以及电池转化效率的目的。

主权项

1.一种降低太阳能电池发射极和埋栅电极间接触电阻的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：A、对太阳能硅片先执行标准的制绒，扩散和去边绝缘工艺，形成所述太阳能硅片表面一层含磷的二氧化硅，然后将所述太阳能硅片侧面和背面的N型硅片完整去除；B、使用喷墨法将光刻胶喷在所述太阳能硅片上形成图形；C、通过等离子刻蚀未覆盖所述光刻胶的所述太阳能硅片，露出发射极，控制所述太阳能硅片表面的晶体硅层的厚度损失然后去除所述光刻胶；D、利用剩余的所述太阳能硅片表面的二氧化硅作为掩膜层，淀积金属，金属种类可为钛，钴或者镍；E、对所述太阳能硅片进行第一次快速热制程退火处理，退火时间10秒到2分钟，退火温度钛600-750℃，钴400-600℃，镍400-550℃；F、去除未与所述太阳能硅片反应的金属，然后对所述太阳能硅片进行第二次快速热制程退火处理，退火时间10秒到2分钟，退火温度钛850-950℃，钴700-800℃，镍500-600℃；最后形成金属硅化物的埋栅电极；G、在所述金属硅化物的埋栅电极制程完成后，继续进行去含磷二氧化硅、抗反射氮化膜淀积、丝网印刷以及烧结工艺，完成太阳能电池的制作。