[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110068078.3 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102694007A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体衬底的隔离结构，形成于半导体衬底上，包括：隔离沟槽，嵌入于所述半导体衬底中；介质层，填充于所述隔离沟槽中；其中，所述隔离沟槽的顶部具有第一宽度W1，所述隔离沟槽的底部具有第二宽度W2，W2＞W1。本申请还公开了该隔离结构的制造方法，具有该隔离结构的半导体结构及其制造方法。该隔离结构及其制造方法可提高集成电路的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底的隔离结构，形成于半导体衬底上，包括：隔离沟槽，嵌入于所述半导体衬底中；介质层，填充于所述隔离沟槽中；其特征在于，所述隔离沟槽的顶部具有第一宽度W1，所述隔离沟槽的底部具有第二宽度W2，W2＞W1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110068078.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于北斗卫星的气象灾害预警信息发布系统及方法
- 下一篇：打链器
- 同类专利
- 专利分类
